BSM50GAL120DN2HOSA1
131 000 ֏
от 2 шт. —
127 000 ֏
от 4 шт. —
123 000 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 131 000 ֏
Описание
Электроэлемент
BSM50GAL120 - Insulated Gate Bipolar Transistor Module
Технические параметры
| Вес, г | 215.5 |