STF36N60M6, Транзистор: N-MOSFET, MDmesh™ M6, полевой, 600В, 19А, Idm: 102А
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
15 шт., срок 8 недель
7 500 ֏
от 10 шт. —
6 000 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 7 500 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, MDmesh™ M6, полевой, 600В, 19А, Idm: 102А Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Case | TO220FP |
| Drain current | 19A |
| Drain-source voltage | 600V |
| Gate charge | 44.3nC |
| Gate-source voltage | ±25V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Mounting | THT |
| On-state resistance | 99mΩ |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 40W |
| Pulsed drain current | 102A |
| Technology | MDmesh™ M6 |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Channel Mode | Depletion |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 30 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.085 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4.75V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-220FP |
| Pin Count | 3 |
| Series | ST |
| Transistor Material | SiC |
| Вес, г | 1.72 |
Техническая документация
Datasheet STF36N60M6
pdf, 256 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 24 июля1 | бесплатно |
| HayPost | 28 июля1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг