2SCR573D3TL1, Транзистор: NPN
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
578 шт., срок 8 недель
570 ֏
от 10 шт. —
342 ֏
от 30 шт. —
290 ֏
от 100 шт. —
239 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 570 ֏
Альтернативные предложения3
Описание
50V 10W 180@100mA,3V 3A NPN TO-252-2 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 3A |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 1uA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 50V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 130mV@1A, 50mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 180@100mA, 3V |
| Operating Temperature | - |
| Power Dissipation (Pd) | 10W |
| Transistor Type | NPN |
| Transition Frequency (fT) | 320MHz |
| Collector Emitter Voltage Max | 50В |
| Continuous Collector Current | 3А |
| DC Current Gain hFE Min | 180hFE |
| DC Усиление Тока hFE | 180hFE |
| Power Dissipation | 10Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Полярность Транзистора | NPN |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Частота Перехода ft | 320МГц |
| Вес, г | 0.1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1681 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 24 июля1 | бесплатно |
| HayPost | 28 июля1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг