2SD2707T2LV, Транзистор: NPN
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
320 шт., срок 8 недель
570 ֏
от 10 шт. —
347 ֏
от 30 шт. —
290 ֏
от 100 шт. —
239 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 570 ֏
Технические параметры
| Brand | ROHM Semiconductor |
| Collector- Base Voltage VCBO | 60 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 50 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 0.3 V |
| Configuration | Single |
| Continuous Collector Current | 0.15 A |
| DC Collector/Base Gain Hfe Min | 820 |
| DC Current Gain HFE Max | 2700 |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 12 V |
| Factory Pack Quantity | 8000 |
| Gain Bandwidth Product FT | 250 MHz |
| Manufacturer | ROHM Semiconductor |
| Maximum DC Collector Current | 0.15 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | VMT-3 |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Pd - Power Dissipation | 150 mW |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| Product Type | BJTs-Bipolar Transistors |
| Series | 2SD2707 |
| Subcategory | Transistors |
| Transistor Polarity | NPN |
| Вес, г | 0.1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1266 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 24 июля1 | бесплатно |
| HayPost | 28 июля1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг