AO4838
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
315 ֏
Мин. кол-во для заказа 5 шт.
от 10 шт. —
245 ֏
от 30 шт. —
215 ֏
от 100 шт. —
174 ֏
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 1 575 ֏
Номенклатурный номер: 8022681371
Бренд: Alpha & Omega
Описание
Описание Транзистор полевой AO4838 от производителя ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR - это высококачественный N-MOSFET компонент, предназначенный для SMD монтажа. С его помощью можно эффективно управлять током до 9А и напряжением до 30В, при этом мощность транзистора составляет 1,3Вт. Одной из ключевых характеристик является низкое сопротивление в открытом состоянии, всего 0,0096Ом, что обеспечивает высокую эффективность и минимизацию потерь мощности. Устройство заключено в компактный корпус SO8, что делает его идеальным выбором для использования в различных электронных схемах и устройствах где требуется экономия пространства. Воспользуйтесь AO4838 для повышения надежности и производительности ваших проектов. Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | N-MOSFET |
Монтаж | SMD |
Ток стока, А | 9 |
Напряжение сток-исток, В | 30 |
Мощность, Вт | 1.3 |
Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.0096 |
Корпус | SO8 |
Технические параметры
Automotive | Unknown |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current - (A) | 11 |
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 9.6@10V |
Maximum Drain Source Voltage - (V) | 30 |
Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??20 |
Maximum Power Dissipation - (mW) | 2000 |
Military | No |
Number of Elements per Chip | 2 |
Operating Temperature - (??C) | -55~150 |
Pin Count | 8 |
Standard Package Name | SOP |
Supplier Package | SOIC |
Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 18 |
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 18@10VI8@4.5V |
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 1080@15V |
Continuous Drain Current (Id) | 11A |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 9.6mΩ@11A, 10V |
Drain Source Voltage (Vdss) | 30V |
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 2.6V@250uA |
Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.3nF@15V |
Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
Power Dissipation (Pd) | 2W |
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - |
Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 22nC@10V |
Type | 2 N-Channel |
Техническая документация
Документация
pdf, 598 КБ