HY1904C2
![](https://static.chipdip.ru/images/layout/noimage/230px.png)
85 шт., срок 8-10 недель
154 ֏
Мин. кол-во для заказа 10 шт.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
132 ֏
Добавить в корзину 10 шт.
на сумму 1 540 ֏
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8022721477
Бренд: HUAYI
Описание
40V 65A 6mΩ@10V,20A 48W 3V@250uA N Channel PPAK-8L(5x6) MOSFETs ROHS
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 65A(Tc) |
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 48W(Tc) |
Rds On - Drain-Source Resistance | 6mО© @ 20A,10V |
Transistor Polarity | N Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 40V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 3V @ 250uA |
Continuous Drain Current (Id) | 65A |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 6mΩ@10V, 20A |
Drain Source Voltage (Vdss) | 40V |
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 3V@250uA |
Power Dissipation (Pd) | 48W |
Type | N Channel |
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 14 августа1 | бесплатно |
HayPost | 18 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг