2SAR553P5T100, 50V 2W 180@50mA,2V 2A PNP SOT-89 BIpolar TransIstors - BJT

Фото 1/2 2SAR553P5T100, 50V 2W 180@50mA,2V 2A PNP SOT-89 BIpolar TransIstors - BJT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
260 шт., срок 8 недель
232 ֏
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт.132 ֏
от 150 шт.119 ֏
Добавить в корзину 5 шт. на сумму 1 160 ֏
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8023470148
Бренд: Rohm

Описание

Биполярные транзисторы - BJT PNP -50V Vceo -2A Ic MPT3

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 500 mW (1/2 W)
Вид монтажа SMD/SMT
Другие названия товара № 2SAR553P5
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 180 at - 50 mA, - 2 V
Конфигурация Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 450 at - 50 mA, - 2 V
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 2 A
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 50 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 50 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 200 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 6 V
Непрерывный коллекторный ток 2 A
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 320 MHz
Размер фабричной упаковки 1000
Серия 2SxR
Технология Si
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка ROHM Semiconductor
Упаковка / блок SC-62-3
Base Product Number 2SAR553 ->
Current - Collector (Ic) (Max) 2A
Current - Collector Cutoff (Max) 1ВµA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 180 @ 50mA, 2V
ECCN EAR99
Frequency - Transition 320MHz
HTSUS 8541.21.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150В°C (TJ)
Other Related Documents http://rohmfs.rohm.com/en/techdata_basic/transisto
Package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case TO-243AA
Power - Max 500mW
REACH Status REACH Affected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Simulation Models http://rohmfs.rohm.com/en/products/library/spice/d
Supplier Device Package MPT3
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 35mA, 700mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Collector Emitter Voltage Max 50В
Continuous Collector Current
DC Current Gain hFE Min 180hFE
Power Dissipation 2Вт
Монтаж транзистора Surface Mount
Вес, г 0.13

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1811 КБ
Datasheet 2SAR553P5T100
pdf, 1817 КБ

Сроки доставки

Доставка в регион Ереван

Офис «ЧИП и ДИП» 7 августа1 бесплатно
HayPost 11 августа1 1 650 ֏2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг