2SCR574D3TL1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
77 шт., срок 8-10 недель
324 ֏
Мин. кол-во для заказа 5 шт.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 1 620 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Биполярные транзисторы - BJT NPN 80V 2A 10W Pwr trnstr Low VCE
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 10 W |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Другие названия товара № | 2SCR574D3 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 120 |
| Конфигурация | Single |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 390 |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 2 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 80 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 80 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 100 mV |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 2 A |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | NPN |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 280 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок | TO-252 |
| Brand | ROHM Semiconductor |
| Collector- Base Voltage VCBO | 80 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 80 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 100 mV |
| Configuration | Single |
| Continuous Collector Current | 2 A |
| DC Collector/Base Gain Hfe Min | 120 |
| DC Current Gain HFE Max | 390 |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 6 V |
| Factory Pack Quantity | 2500 |
| Gain Bandwidth Product FT | 280 MHz |
| Manufacturer | ROHM Semiconductor |
| Maximum DC Collector Current | 2 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | TO-252 |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Part # Aliases | 2SCR574D3 |
| Pd - Power Dissipation | 10 W |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| Product Type | BJTs-Bipolar Transistors |
| Subcategory | Transistors |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | NPN |
| Collector Emitter Voltage Max | 80В |
| DC Current Gain hFE Min | 120hFE |
| DC Усиление Тока hFE | 120hFE |
| Power Dissipation | 10Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Частота Перехода ft | 280МГц |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 80 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-252 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Type | NPN |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 14 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 18 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг