BC857BHZGT116
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
803 шт., срок 8-10 недель
44 ֏
Мин. кол-во для заказа 35 шт.
Добавить в корзину 35 шт.
на сумму 1 540 ֏
Альтернативные предложения3
Описание
Биполярные транзисторы - BJT PNP SOT-23 -0.1A 210 to 480hFE -45V
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 350 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Другие названия товара № | BC857BHZG |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 210 |
| Конфигурация | Single |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 480 |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 100 mA |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 45 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 120 mV |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 100 mA |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | PNP |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 250 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
Техническая документация
Datasheet BC857BHZGT116
pdf, 1376 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 14 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 18 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг