2SC5585TL
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1310 шт., срок 8-10 недель
26 ֏
Мин. кол-во для заказа 60 шт.
Добавить в корзину 60 шт.
на сумму 1 560 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
Various products are available in lineup developed focusing on energy-saving and high reliability as main concepts, covering from ultra-compact packages to power-packages to meet the needs in market.
Технические параметры
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 12V |
| Maximum DC Collector Current | 500mA |
| Pd - Power Dissipation | 150mW |
| Transistor Type | NPN |
| Maximum Collector Base Voltage | 15 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 12 V |
| Maximum Emitter Base Voltage | 6 V |
| Maximum Operating Frequency | 320 MHz |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 150 mW |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-416 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
Техническая документация
Datasheet 2SC5585TL
pdf, 1344 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 31 июля1 | бесплатно |
| HayPost | 4 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг