2SC5866TLQ
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
100 шт., срок 8-10 недель
97 ֏
Мин. кол-во для заказа 16 шт.
Добавить в корзину 16 шт.
на сумму 1 552 ֏
Альтернативные предложения3
Описание
Биполярные транзисторы - BJT NPN 60V 2A
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 500 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 0.85 mm |
| Длина | 2.9 mm |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 120 |
| Конфигурация | Single |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 390 |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 2 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 200 mV |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 2 A |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | NPN |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 200 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | 2SC5866 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок | TSMT-3 |
| Ширина | 1.6 mm |
| Base Product Number | 2SC5866 -> |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 2A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1ВµA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 100mA, 2V |
| ECCN | EAR99 |
| Frequency - Transition | 200MHz |
| HTSUS | 8541.21.0075 |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150В°C (TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Package / Case | SC-96 |
| Power - Max | 500mW |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Supplier Device Package | TSMT3 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 100mA, 1A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
| Maximum Collector Base Voltage | 60 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 60 V |
| Maximum DC Collector Current | 2 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 6 V |
| Maximum Operating Frequency | 200 MHz |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 500 mW |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-346T(SC-96) |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1471 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 1475 КБ
Datasheet 2SC5866TLQ
pdf, 1475 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 14 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 18 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг