2SCR514RTL
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
196 шт., срок 8-10 недель
195 ֏
Мин. кол-во для заказа 8 шт.
Добавить в корзину 8 шт.
на сумму 1 560 ֏
Альтернативные предложения3
Описание
80V 1W 120@100mA,3V 700mA NPN SOT-346 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 700mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 1uA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 80V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 100mV@300mA, 15mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 120@100mA, 3V |
| Operating Temperature | - |
| Power Dissipation (Pd) | 1W |
| Transistor Type | NPN |
| Transition Frequency (fT) | 320MHz |
| Collector Emitter Voltage Max | 80В |
| Continuous Collector Current | 700мА |
| DC Current Gain hFE Min | 120hFE |
| Power Dissipation | 500мВт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Полярность Транзистора | NPN |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-346T |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Частота Перехода ft | 320МГц |
Техническая документация
Datasheet 2SCR514RTL
pdf, 1743 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 31 июля1 | бесплатно |
| HayPost | 4 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг