2SD2704KT146, TRANSISTOR BIPOLAR NPN; 30Vebo; 0.3A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
42000 шт., срок 8 недель
70 ֏
Кратность заказа 3000 шт.
от 6000 шт. —
66 ֏
Добавить в корзину 3000 шт.
на сумму 210 000 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Биполярные транзисторы - BJT TRANSISTOR BIPOLAR NPN;30Vebo;0.3A
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 200 mW (1/5 W) |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Другие названия товара № | 2SD2704K |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 820 |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 20 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 50 mV |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 25 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 0.3 A |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | NPN |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 35 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | 2SD2704K |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок | EMT-3 |
Техническая документация
Datasheet 2SD2704KT146
pdf, 544 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 7 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 11 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг