2SC4083T106N
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2100 шт., срок 8 недель
1 190 ֏
от 25 шт. —
970 ֏
от 50 шт. —
750 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 190 ֏
Альтернативные предложения3
Описание
Other\Electronics\Components
Биполярные транзисторы - BJT NPN 11V 50MA SOT-323
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 0.8 mm |
| Длина | 2 mm |
| Другие названия товара № | 2SC4083 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 56 |
| Конфигурация | Single |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 180 |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.05 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 20 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 11 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 3 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 50 mA |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | NPN |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 3.2 GHz |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | 2SC4083 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOT-323-3 |
| Ширина | 1.25 mm |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 11V |
| Maximum DC Collector Current | 50mA |
| Pd - Power Dissipation | 200mW |
| Transistor Type | NPN |
Техническая документация
Datasheet 2SC4083T106N
pdf, 1101 КБ
Datasheet 2SC4083T106N
pdf, 1110 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 7 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 11 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг