BPW17N, Фототранзистор, 825 нм, 12 °, 100 мВт, 2 вывод(-ов), T-3/4 (1.8mm)

Фото 1/7 BPW17N, Фототранзистор, 825 нм, 12 °, 100 мВт, 2 вывод(-ов), T-3/4 (1.8mm)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
890 ֏
Мин. кол-во для заказа 13 шт.
от 25 шт.510 ֏
Добавить в корзину 13 шт. на сумму 11 570 ֏
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8845414276

Описание

Описание Фототранзистор, 1,8мм, -p макс: 825нм, 32В, 24°, Линза: прозрачная

Технические параметры

Base Product Number BPW17 ->
Current - Collector (Ic) (Max) 1mA
Current - Dark (Id) (Max) 200nA
ECCN EAR99
HTSUS 8541.40.7080
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -40В°C ~ 100В°C (TA)
Orientation Top View
Package Bulk
Package / Case Radial
Power - Max 100mW
RoHS Status ROHS3 Compliant
Viewing Angle 24В°
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 32V
Wavelength 825nm
Automotive No
ECCN (US) EAR99
EU RoHS Compliant
Fabrication Technology NPN Transistor
Half Intensity Angle Degrees (°) 24
Lens Color Water Clear
Lens Shape Type Domed
Material Silicon
Maximum Collector Current (mA) 50
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) 0.3
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) 32
Maximum Dark Current (nA) 200
Maximum Emitter-Collector Voltage (V) 5
Maximum Light Current (uA) 1000(Typ)
Maximum Operating Temperature (°C) 100
Maximum Power Dissipation (mW) 100
Mounting Through Hole
Number of Channels per Chip 1
Part Status Active
PCB changed 2
Peak Wavelength (nm) 825
Phototransistor Type Phototransistor
Pin Count 2
Polarity NPN
PPAP No
Standard Package Name T-3/4
Supplier Package T-3/4
Type Chip
Viewing Orientation Top View
Number of Channels 1
Typical Fall Time 5µs
Typical Rise Time 4.8µs
Wavelength Typ 825nm; Viewing Angle
Вес, г 0.151

Техническая документация