BPW96C, Фототранзистор 620..980 нм
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 220 ֏
850 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 850 ֏
Описание
Фототранзистор 5мм/450-1080нм/прозрачный/20°
Технические параметры
Automotive | No |
Diameter | 5.75 |
ECCN (US) | EAR99 |
EU RoHS | Compliant |
Fabrication Technology | NPN Transistor |
Half Intensity Angle Degrees (°) | 40 |
Lead Shape | Through Hole |
Lens Color | Clear |
Lens Shape Type | Domed |
Material | Silicon |
Maximum Collector Current (mA) | 50 |
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.3 |
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 70 |
Maximum Dark Current (nA) | 200 |
Maximum Emitter-Collector Voltage (V) | 5 |
Maximum Light Current (uA) | 15000 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 100 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 150 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -40 |
Mounting | Through Hole |
Number of Channels per Chip | 1 |
Packaging | Bulk |
Part Status | Active |
PCB changed | 2 |
Peak Wavelength (nm) | 850 |
Phototransistor Type | Phototransistor |
Pin Count | 2 |
Polarity | NPN |
PPAP | No |
Standard Package Name | T-1 3/4 |
Supplier Package | T-1 3/4 |
Type | IR Chip |
Viewing Orientation | Top View |
Вес, г | 0.35 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 109 КБ
Datasheet
pdf, 104 КБ
Datasheet
pdf, 104 КБ
Документация
pdf, 108 КБ
Импортные оптоэлектронные приборы
pdf, 355 КБ
Видео
С этим товаром покупают