ESD112B102ELE6327XTMA1, Защитное устройство от ЭСР, 29 В, TSLP-2-20, 2 вывод(-ов), 5.3 В, Серия ESD112-B1-02
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
600 ֏
Мин. кол-во для заказа 20 шт.
Кратность заказа 5 шт.
от 100 шт. —
226 ֏
Добавить в корзину 20 шт.
на сумму 12 000 ֏
Описание
Устройства Защиты Электроцепей\Устройства Защиты от ЭСР
Transient Voltage Suppression (TVS) Diodes from Infineon suitable for applications requiring high-speed ESD protectionundefined
Технические параметры
Clamping Voltage Max | 21В |
Reverse Standoff Voltage | 5.3В |
Количество Выводов | 2вывод(-ов) |
Линейка Продукции | Серия ESD112-B1-02 |
Максимальное Фиксированное Напряжение | 29В |
Минимальное Значение Напряжения Пробоя | 7В |
Полярность Ограничителя Бросков Напряжения | Двунаправленный |
Рабочее Напряжение | 5.3В |
Стиль Корпуса Диода | TSLP-2-20 |
Capacitance | 0.4pF |
Diode Configuration | Single |
Direction Type | Bi-Directional |
ESD Protection | Yes |
Maximum Clamping Voltage | 44V |
Maximum Operating Temperature | +125 °C |
Maximum Peak Pulse Current | 3A |
Maximum Reverse Leakage Current | 50nA |
Minimum Breakdown Voltage | 7V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TSLP |
Pin Count | 2 |
Surge Current Rating | ±3A |
Test Current | 1mA |
Width | 0.6mm |
Вес, г | 0.006 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet ESD112B102ELE6327XTMA1
pdf, 965 КБ
Диоды защитные импортные
pdf, 732 КБ
Диоды импортные
pdf, 304 КБ