Главная › Электронные компоненты › Диоды › Защитные (TVS) › ON Semiconductor › ESD8008MUTAG, Защитное устройство от ЭСР ...

ESD8008MUTAG, Защитное устройство от ЭСР, 8.1 В, UDFN, 14 вывод(-ов), 3.3 В

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

750 ֏

Мин. кол-во для заказа 20 шт.

Кратность заказа 5 шт.

от 100 шт. — 477 ֏

Добавить в корзину 20 шт. на сумму 15 000 ֏

Номенклатурный номер: 8004127169

Бренд: ON Semiconductor***

Описание

Устройства Защиты Электроцепей\Устройства Защиты от ЭСР

DIODE, ESD PROTECTION, 3.3V, UDFN-14; Clamping Voltage Vc Max:8.1V; Diode Case Style:UDFN; No. of Pins:14Pins; Operating Voltage:3.3V; Power Dissipation Pd:-; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:AEC-Q101; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)

Технические параметры

Количество Выводов	14вывод(-ов)
Максимальное Фиксированное Напряжение	8.1В
Рабочее Напряжение	3.3В
Стандарты Автомобильной Промышленности	AEC-Q101
Стиль Корпуса Диода	UDFN
Automotive Standard	AEC-Q101
Capacitance	0.35pF
Diode Configuration	Array
Direction Type	Uni-Directional
ESD Protection	Yes
Maximum Clamping Voltage	8.1V
Maximum Operating Temperature	+125 °C
Maximum Peak Pulse Current	16A
Maximum Reverse Leakage Current	500nA
Minimum Breakdown Voltage	5.5V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	8
Package Type	UDFN
Pin Count	14
Test Current	1mA
Width	1.5mm
Working Voltage	3.3V
Clamping Voltage	8.1(TYP)
Configuration	OCTAL COMMON ANODE
Leakage Current	0.5
Mounting Style	Surface Mount
Number of Elements	8
Operating Temperature Max Deg. C	125C
Operating Temperature Min Deg. C	-55C
Package / Case	UDFN EP
Packaging	Tape and Reel
Product Depth (mm)	1.5(mm)
Product Height (mm)	0.5(mm)
Product Length (mm)	5.5(mm)
Rad Hardened	No
Suppressor Type	TVS
Вес, г	0.74