LTR-4206

Фото 1/2 LTR-4206
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
118 шт. с центрального склада, срок 3 недели
510 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт.291 ֏
от 10 шт.215 ֏
от 100 шт.146 ֏
Добавить в корзину 2 шт. на сумму 1 020 ֏
Альтернативные предложения5
Номенклатурный номер: 8001935289

Описание

Электроэлемент
Описание Фототранзистор, 3мм, -p макс: 900нм, 30В, 40°, Линза: прозрачная

Технические параметры

Brand Lite-On
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 30 V
Dark Current 100 nA
Factory Pack Quantity 1000
Fall Time 15 us
Height 5.25 mm
Length 4 mm
Lens Color/Style Clear
Manufacturer Lite-On
Maximum Operating Temperature +85 C
Minimum Operating Temperature -40 C
Operating Supply Voltage 5 V
Package / Case T-1
Packaging Bulk
Pd - Power Dissipation 100 mW
Peak Wavelength 940 nm
Product Category Phototransistors
Rise Time 10 us
RoHS Details
Type IR Chip
Width 4 mm
Automotive No
Diameter 4
ECCN (US) EAR99
EU RoHS Compliant
Fabrication Technology NPN Transistor
Lead Shape Through Hole
Lens Color Clear
Lens Shape Type Domed
Maximum Collector Current (mA) 4.5
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) 0.4
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) 30
Maximum Dark Current (nA) 100
Maximum Emitter-Collector Voltage (V) 5
Maximum Fall Time (ns) 10000(Typ)
Maximum Light Current (uA) 9600
Maximum Operating Temperature (°C) 85
Maximum Power Dissipation (mW) 100
Maximum Rise Time (ns) 10000(Typ)
Minimum Operating Temperature (°C) -40
Number of Channels per Chip 1
Part Status Active
PCB changed 2
Phototransistor Type Phototransistor
Pin Count 2
Polarity NPN
PPAP No
Standard Package Name T-1
Supplier Package T-1
Viewing Orientation Top View
Вес, г 0.15

Техническая документация

Datasheet
pdf, 284 КБ
Документация
pdf, 281 КБ

Сроки доставки

Доставка в регион Ереван

Офис «ЧИП и ДИП» 22 мая1 бесплатно
HayPost 26 мая1 1 650 ֏2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг