BPW34S
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 140 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
890 ֏
от 10 шт. —
750 ֏
от 28 шт. —
670 ֏
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 2 280 ֏
Описание
Электроэлемент
Описание Точечный ИК-фотодиод, DIL, THT, 900нм, 430-1000нм, 65°, 215мВт Характеристики | Категория | Фотоприемник |
| Тип | точечный ИК-фотодиод |
| Длина волны, нм | 900 |
| Монтаж | THT |
Технические параметры
| Brand | Vishay Semiconductors |
| Dark Current | 2 nA |
| Factory Pack Quantity | 1800 |
| Fall Time | 100 ns |
| Half Intensity Angle Degrees | 65 deg |
| Height | 2 mm |
| Length | 4.5 mm |
| Manufacturer | Vishay |
| Maximum Operating Temperature | +100 C |
| Minimum Operating Temperature | -40 C |
| Mounting Style | Through Hole |
| Noise Equivalent Power - NEP | 4E-14 W/sqrt Hz |
| Packaging | Tube |
| Pd - Power Dissipation | 215 mW |
| Peak Wavelength | 900 nm |
| Photocurrent | 70 uA |
| Product | PIN Photodiodes |
| Product Category | Photodiodes |
| Rise Time | 100 ns |
| RoHS | Details |
| Vr - Reverse Voltage | 60 V |
| Width | 4.3 mm |
| Automotive | No |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Maximum Dark Current (nA) | 30 |
| Maximum Fall Time (ns) | 100(Typ) |
| Maximum Light Current (uA) | 75(Typ) |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 100 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 215 |
| Maximum Reverse Voltage (V) | 60 |
| Maximum Rise Time (ns) | 100(Typ) |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -40 |
| Mounting | Through Hole |
| Part Status | Active |
| PCB changed | 2 |
| Peak Wavelength (nm) | 900 |
| Photodiode Material | Si |
| Photodiode Type | PIN |
| Pin Count | 2 |
| Polarity | Forward |
| PPAP | No |
| Type | Chip |
| Вес, г | 0.35 |
