VEMT2020X01

Фото 1/3 VEMT2020X01
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
930 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт.680 ֏
от 10 шт.570 ֏
от 100 шт.491 ֏
Добавить в корзину 2 шт. на сумму 1 860 ֏
Номенклатурный номер: 8001987802

Описание

Электроэлемент
Описание Фототранзистор, -p макс 570нм, 1,5В, 50°, Линза прозрачная, 5мм

Технические параметры

Current - Collector (Ic) (Max) 50mA
Current - Dark (Id) (Max) 100nA
Mounting Type Surface Mount
Orientation Top View
Other Names VEMT2020X01DKR
Package / Case 2-SMD, Gull Wing
Power - Max 100mW
Standard Package 1
Viewing Angle 30°
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 20V
Wavelength 860nm
Automotive Yes
ECCN (US) EAR99
EU RoHS Compliant
Fabrication Technology NPN Transistor
Half Intensity Angle Degrees (°) 30
Lens Color Black
Lens Shape Type Domed
Material Silicon
Maximum Collector Current (mA) 50
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) 0.4
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) 20
Maximum Dark Current (nA) 100
Maximum Emitter-Collector Voltage (V) 7
Maximum Light Current (uA) 9000
Maximum Operating Temperature (°C) 100
Maximum Power Dissipation (mW) 100
Minimum Operating Temperature (°C) -40
Mounting Surface Mount
Number of Channels per Chip 1
Packaging Tape and Reel
Part Status Active
PCB changed 2
Peak Wavelength (nm) 860
Phototransistor Type Phototransistor
Pin Count 2
Polarity NPN
PPAP Unknown
Standard Package Name SMD
Supplier Package SMD
Type IR Chip
Viewing Orientation Top View
Angle of Half Sensitivity 30 °
Collector Current 50mA
Maximum Dark Current 100nA
Maximum Light Current 9000µA
Maximum Wavelength Detected 970nm
Minimum Wavelength Detected 790nm
Number of Channels 1
Number of Pins 2
Spectral Range of Sensitivity 790 → 970 nm
Spectrums Detected Infrared
Width 2.3mm
Вес, г 0.08

Техническая документация

Datasheet
pdf, 134 КБ
Datasheet VEMT2020X01
pdf, 144 КБ
Документация
pdf, 138 КБ