OP800A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
6 шт. с центрального склада, срок 3 недели
7 300 ֏
от 2 шт. —
6 700 ֏
от 5 шт. —
6 200 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 7 300 ֏
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8002029853
Бренд: TT ELECTRONICS
Описание
Электроэлемент
NPN Si Phototransistor - 400-1100nm - 25° FOV - 100nA Dark Current - 30V Breakdown - TO18 Package
Технические параметры
Brand | Optek/TT Electronics |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 30 V |
Collector-Emitter Breakdown Voltage | 30 V |
Dark Current | 100 nA |
Factory Pack Quantity | 500 |
Fall Time | 7 us |
Height | 7.61 mm |
Length | 4.75 mm |
Manufacturer | TT Electronics |
Maximum Operating Temperature | +125 C |
Minimum Operating Temperature | -65 C |
Mounting Style | Through Hole |
Package / Case | TO-18-3 |
Packaging | Bulk |
Pd - Power Dissipation | 250 mW |
Peak Wavelength | 890 nm |
Product | Phototransistors |
Product Category | Phototransistors |
Rise Time | 7 us |
RoHS | Details |
Type | NPN Silicon Phototransistor |
Wavelength | 890 nm |
Width | 4.75 mm |
Current - Collector (Ic) (Max) | 50mA |
Current - Dark (Id) (Max) | 100nA |
ECCN | EAR99 |
HTSUS | 8541.40.7080 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Through Hole |
Operating Temperature | -65В°C ~ 125В°C (TA) |
Orientation | Top View |
Package | Bulk |
Power - Max | 250mW |
REACH Status | REACH Unaffected |
RoHS Status | RoHS Compliant |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30V |
Техническая документация
Datasheet OP800A
pdf, 747 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 5 июня1 | бесплатно |
HayPost | 9 июня1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг