VEMT3700-GS08, Фототранзистор, 3528, PLCC2, -p макс: 850нм, 70В, 60°

Фото 1/3 VEMT3700-GS08, Фототранзистор, 3528, PLCC2, -p макс: 850нм, 70В, 60°
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 240 ֏
от 5 шт.560 ֏
от 25 шт.323 ֏
от 100 шт.232 ֏
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 240 ֏
Номенклатурный номер: 8002534501

Описание

Описание Фототранзистор, 3528, PLCC2, -p макс: 850нм, 70В, 60°

Технические параметры

Automotive No
Cut-Off Filter Visible Cut-off
ECCN (US) EAR99
EU RoHS Compliant
Fabrication Technology NPN Transistor
Half Intensity Angle Degrees (°) 120
Lead Shape J-Lead
Lens Shape Type Flat
Material Silicon
Maximum Collector Current (mA) 50
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) 0.3
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) 70
Maximum Dark Current (nA) 200
Maximum Emitter-Collector Voltage (V) 5
Maximum Fall Time (ns) 6000(Typ)
Maximum Light Current (uA) 500
Maximum Operating Temperature (°C) 100
Maximum Power Dissipation (mW) 100
Maximum Rise Time (ns) 6000(Typ)
Minimum Operating Temperature (°C) -40
Mounting Surface Mount
Number of Channels per Chip 1
Packaging Tape and Reel
Part Status Active
PCB changed 2
Peak Wavelength (nm) 850
Phototransistor Type Phototransistor
Pin Count 2
Polarity NPN
PPAP No
Standard Package Name LCC
Supplier Package PLCC
Type IR Chip
Viewing Orientation Top View
Вес, г 0.05

Техническая документация

Datasheet
pdf, 128 КБ
Datasheet
pdf, 128 КБ