CSD18536KCS, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 200А, 375Вт, TO220-3

Фото 1/2 CSD18536KCS, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 200А, 375Вт, TO220-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
5 900 ֏
от 3 шт.5 600 ֏
от 10 шт.4 250 ֏
от 50 шт.3 030 ֏
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 5 900 ֏
Номенклатурный номер: 8002552353
Бренд: Texas Instruments

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 200А, 375Вт, TO220-3 Характеристики
Категория Транзистор
Тип полевой
Вид MOSFET

Технические параметры

Base Product Number CSD18536 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 200A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
ECCN EAR99
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 108nC @ 10V
HTSUS 8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 11430pF @ 30V
Manufacturer Product Page http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55В°C ~ 175В°C (TJ)
Package Tube
Package / Case TO-220-3
Power Dissipation (Max) 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.6mOhm @ 100A, 10V
REACH Status REACH Affected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Series NexFETв„ў ->
Supplier Device Package TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250ВµA
Вес, г 2.01