DSEI2X30-12B, Модуль диодный, 2 независимых диода, 1,2кВ, 70А, SOT227B, винтами

Фото 1/4 DSEI2X30-12B, Модуль диодный, 2 независимых диода, 1,2кВ, 70А, SOT227B, винтами
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
37 900 ֏
от 3 шт.30 300 ֏
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 37 900 ֏
Номенклатурный номер: 8002602231
Бренд: Ixys Corporation

Описание

Semiconductors\Diodes\Diode modules\Semiconductors
Описание Диодный модуль DSEI2X30-12B от известного производителя IXYS станет надежным компонентом для вашей электронной аппаратуры. Этот полупроводниковый диод обеспечивает монтаж на плату при помощи винтов, что гарантирует прочность и надежность соединения. Максимальное обратное напряжение устройства составляет 1200 вольт, что позволяет использовать его в высоковольтных применениях. Компактный и эффективный, диодный модуль заключен в прочный корпус SOT227B, обеспечивающий отличные тепловые характеристики и долговечность. Модуль DSEI2X3012B является отличным выбором для разработки силовой электроники и ремонтных работ, требующих компонентов высокой надежности. Характеристики
Категория Диод
Тип модуль
Вид диодный
Монтаж винтами
Обратное напряжение макс., В 1200
Корпус SOT227B

Технические параметры

Case SOT227B
Electrical mounting screw
Load current 27A x2
Manufacturer IXYS
Max. forward impulse current 375A
Max. forward voltage 2.2V
Max. off-state voltage 1.2kV
Mechanical mounting screw
Semiconductor structure double independent
Type of module diode
Diode Configuration Isolated
Diode Technology Silicon Junction
Diode Type Rectifier
Maximum Continuous Forward Current 28A
Maximum Forward Voltage Drop 2.55V
Mounting Type Panel Mount
Number of Elements per Chip 2
Package Type SOT-227B
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current 210A
Peak Reverse Recovery Time 60ns
Peak Reverse Repetitive Voltage 1200V
Pin Count 4
Rectifier Type Switching
Вес, г 37.44

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 72 КБ