PT100MF0MP1, Фототранзистор, Разм: 3x2,2x1,5мм, -p макс: 910нм, 35В, 15°
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
925 шт., срок 8 недель
1 220 ֏
от 5 шт. —
640 ֏
от 25 шт. —
467 ֏
от 100 шт. —
305 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 220 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
Oптоэлектроника\Фотоэлементы\Фототранзисторы
Описание Фототранзистор, Разм: 3x2,2x1,5мм, -p макс: 910нм, 35В, 15°
Технические параметры
| Brand: | Sharp Microelectronics |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 35 V |
| Dark Current: | 100 nA |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1500 |
| Fall Time: | 6 us |
| Half Intensity Angle Degrees: | 15 deg |
| Lens Color/Style: | Black |
| Manufacturer: | Sharp Microelectronics |
| Maximum On-State Collector Current: | 20 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +85 C |
| Minimum Operating Temperature: | -30 C |
| Moisture Sensitive: | Yes |
| Pd - Power Dissipation: | 75 mW |
| Peak Wavelength: | 910 nm |
| Product Category: | Phototransistors |
| Product Type: | Phototransistors |
| Rise Time: | 5 us |
| Subcategory: | Optical Detectors and Sensors |
| Type: | IR Chip |
| Wavelength: | 940 nm |
| Вес, г | 0.03 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 808 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 28 июня1 | бесплатно |
| HayPost | 2 июля1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
