LTR-4206, Фототранзистор, 3мм, -p макс: 900нм, 30В, 40°, Линза: прозрачная

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

12421 шт., срок 8 недель

590 ֏

Мин. кол-во для заказа 2 шт.

от 10 шт. — 307 ֏

от 50 шт. — 156 ֏

от 250 шт. — 115 ֏

Добавить в корзину 2 шт. на сумму 1 180 ֏

Альтернативные предложения5

Номенклатурный номер: 8002943398

Oптоэлектроника\Фотоэлементы\Фототранзисторы

Описание Фототранзистор, 3мм, -p макс: 900нм, 30В, 40°, Линза: прозрачная

Automotive	No
Diameter	4
ECCN (US)	EAR99
EU RoHS	Compliant
Fabrication Technology	NPN Transistor
Lead Shape	Through Hole
Lens Color	Clear
Lens Shape Type	Domed
Maximum Collector Current (mA)	4.5
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)	0.4
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)	30
Maximum Dark Current (nA)	100
Maximum Emitter-Collector Voltage (V)	5
Maximum Fall Time (ns)	10000(Typ)
Maximum Light Current (uA)	9600
Maximum Operating Temperature (°C)	85
Maximum Power Dissipation (mW)	100
Maximum Rise Time (ns)	10000(Typ)
Minimum Operating Temperature (°C)	-40
Number of Channels per Chip	1
Part Status	Active
PCB changed	2
Phototransistor Type	Phototransistor
Pin Count	2
Polarity	NPN
PPAP	No
Standard Package Name	T-1
Supplier Package	T-1
Type	IR Chip
Viewing Orientation	Top View
Brand	Lite-On
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	30 V
Dark Current	100 nA
Factory Pack Quantity	1000
Fall Time	15 us
Height	5.25 mm
Length	4 mm
Lens Color/Style	Clear
Manufacturer	Lite-On
Maximum Operating Temperature	+85 C
Minimum Operating Temperature	-40 C
Operating Supply Voltage	5 V
Package / Case	T-1
Packaging	Bulk
Pd - Power Dissipation	100 mW
Peak Wavelength	940 nm
Product Category	Phototransistors
Rise Time	10 us
RoHS	Details
Width	4 mm
Вес, г	0.15