1SS184
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
35 шт. с центрального склада, срок 3 недели
425 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 850 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Электроэлемент
Диод импульсный, SMD, 85В, 100мА, 4нс, Упаковка бобина, лента
Технические параметры
Base Part Number | 1SS184 |
Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 100mA |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 500nA @ 80V |
Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode |
Diode Type | Standard |
Manufacturer | Toshiba Semiconductor and Storage |
Mounting Type | Surface Mount |
Operating Temperature - Junction | 125В°C(Max) |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Packaging | Tape & Reel(TR) |
Part Status | Active |
Reverse Recovery Time (trr) | 4ns |
Series | - |
Speed | Small Signal =< 200mA(Io), Any Speed |
Supplier Device Package | SC-59 |
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 80V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 100mA |
Capacitance | 3pF |
Case | SOT346 |
Features of semiconductor devices | ultrafast switching |
Kind of package | reel, tape |
Load current | 0.1A |
Max. forward impulse current | 2A |
Max. forward voltage | 1.2V |
Max. load current | 0.3A |
Max. off-state voltage | 85V |
Mounting | SMD |
Power dissipation | 0.15W |
Reverse recovery time | 4ns |
Semiconductor structure | common cathode, double |
Type of diode | switching |
Вес, г | 0.01 |
Техническая документация
Datasheet 1SS184,LF
pdf, 349 КБ
Диоды импортные
pdf, 304 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 5 июня1 | бесплатно |
HayPost | 9 июня1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг