BPW96C, Phototransistors T-1.75 450 to 1080nm +/-20 deg
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 280 ֏
от 10 шт. —
810 ֏
от 100 шт. —
498 ֏
от 500 шт. —
425 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 280 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Описание Фототранзистор, 5мм, -p макс: 850нм, 70В, 20°, Линза: прозрачная Характеристики
Монтаж | THT |
Технические параметры
Automotive | No |
Diameter | 5.75 |
ECCN (US) | EAR99 |
EU RoHS | Compliant |
Fabrication Technology | NPN Transistor |
Half Intensity Angle Degrees (°) | 40 |
Lead Shape | Through Hole |
Lens Color | Clear |
Lens Shape Type | Domed |
Material | Silicon |
Maximum Collector Current (mA) | 50 |
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.3 |
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 70 |
Maximum Dark Current (nA) | 200 |
Maximum Emitter-Collector Voltage (V) | 5 |
Maximum Light Current (uA) | 15000 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 100 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 150 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -40 |
Mounting | Through Hole |
Number of Channels per Chip | 1 |
Packaging | Bulk |
Part Status | Active |
PCB changed | 2 |
Peak Wavelength (nm) | 850 |
Phototransistor Type | Phototransistor |
Pin Count | 2 |
Polarity | NPN |
PPAP | No |
Standard Package Name | T-1 3/4 |
Supplier Package | T-1 3/4 |
Type | IR Chip |
Viewing Orientation | Top View |
Angle of Half Sensitivity | 40 ° |
Collector Current | 50mA |
Maximum Dark Current | 200nA |
Maximum Light Current | 15000µA |
Maximum Wavelength Detected | 1080nm |
Minimum Wavelength Detected | 450nm |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Channels | 1 |
Number of Pins | 2 |
Package Type | 5mm(T-1 3/4) |
Spectral Range of Sensitivity | 450 → 1080 nm |
Spectrums Detected | Infrared, Visible Light |
Typical Fall Time | 2.3µs |
Typical Rise Time | 2µs |
Width | 5.75mm |
Wavelength Typ | 850nm; Viewing Angle |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 109 КБ
Datasheet
pdf, 104 КБ
Datasheet
pdf, 104 КБ
Документация
pdf, 108 КБ
Импортные оптоэлектронные приборы
pdf, 355 КБ