NCP5106BDR2G, Gate Drivers HIGH VOLT MOSFET DR LO MOSFET IGBT DRVR
1 710 ֏
от 10 шт. —
1 360 ֏
от 100 шт. —
860 ֏
от 500 шт. —
760 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 710 ֏
Посмотреть аналоги4
Описание
Half Bridge 2 250mA 85ns 35ns 10V~20V 500mA SOIC-8-150mil Gate Drive ICs ROHS
Технические параметры
| Driven Configuration | Half Bridge |
| Fall Time | 35ns |
| Load Type | IGBT;MOSFET |
| Number of Drivers | 2 |
| Operating Temperature | -40℃~+125℃@(Tj) |
| Peak Output Current(sink) | 500mA |
| Peak Output Current(source) | 250mA |
| Rise Time | 85ns |
| Supply Voltage | 10V~20V |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 124 КБ
Похожие товары
![INA139NA/3K, Токочувствительный усилитель, синфазное напряжение, 10 мкА [SOT-23-5]](https://static.chipdip.ru/lib/257/DOC005257787.jpg)
![AD8210YRZ-REEL7, Усилитель для измерения двунаправленного тока через токовый шунт в цепях высокого напряжения [SO-8]](https://static.chipdip.ru/lib/304/DOC005304626.jpg)
![TPS23753PW, PoE PD контроллер [TSSOP-14]](https://static.chipdip.ru/lib/547/DOC005547759.jpg)
