AO4447A, Транзистор: P-MOSFET, полевой, -30В, -13А, 2Вт, SO8
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
930 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 930 ֏
Номенклатурный номер: 8017364497
Бренд: Alpha & Omega
Описание
Описание Транзистор полевой AO4447A от ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR - высокоэффективный N-MOSFET, предназначенный для SMD-монтажа. Этот компонент обладает током стока 13 А и напряжением сток-исток 30 В, обеспечивая при этом мощность 2 Вт. Сопротивление в открытом состоянии составляет всего 0,007 Ом, что гарантирует его высокую проводимость и эффективность при минимальных потерях мощности. Компактный корпус SO8 позволяет использовать его в ограниченных пространствах. Используя AO4447A в своих проектах, вы получаете надежное и долговечное решение для различных электронных применений. Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | SMD |
| Ток стока, А | 13 |
| Напряжение сток-исток, В | 30 |
| Мощность, Вт | 2 |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.007 |
| Корпус | SO8 |
Технические параметры
| Automotive | Unknown |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Configuration | Single Quad Drain Triple Source |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 18.5 |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 5.8@10V |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 30 |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??20 |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 3100 |
| Military | No |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Operating Temperature - (??C) | -55~150 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 8 |
| Standard Package Name | SOP |
| Supplier Package | SOIC |
| Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 93 |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 93@10VI46@4.5V |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 5020@15V |
| Case | SO8 |
| Drain current | -13A |
| Drain-source voltage | -30V |
| Gate charge | 41nC |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Kind of channel | enhanced |
| Manufacturer | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
| Mounting | SMD |
| On-state resistance | 7mΩ |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 2W |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Вес, г | 0.2 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 302 КБ
Документация
pdf, 378 КБ
