IRFSL7440PBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 530 ֏
от 3 шт. —
1 190 ֏
от 10 шт. —
1 030 ֏
от 50 шт. —
820 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 530 ֏
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors
40V 120A 208W 2.5mΩ@10V,100A 3.9V@100uA N Channel TO-262-3 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Case | TO262 |
| Drain current | 147A |
| Drain-source voltage | 40V |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | INFINEON TECHNOLOGIES |
| Mounting | THT |
| On-state resistance | 2.5mΩ |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 208W |
| Pulsed drain current | 772A |
| Technology | HEXFET® |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Continuous Drain Current (Id) | 120A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 2.5mΩ@10V, 100A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 3.9V@100uA |
| Power Dissipation (Pd) | 208W |
| Type | N Channel |
| Вес, г | 1.58 |
Техническая документация
Datasheet IRFSL7440PBF
pdf, 301 КБ
