TEFT4300, Фототранзистор 3мм/875-1000нм/темный/30°
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
127 ֏
Мин. кол-во для заказа 16 шт.
от 364 шт. —
97 ֏
от 728 шт. —
89 ֏
от 2000 шт. —
85 ֏
Добавить в корзину 16 шт.
на сумму 2 032 ֏
Описание
Оптоэлектроника / ИК/УФ-приборы и фотоприёмники / Фототранзисторы
Фототранзистор 3мм/875-1000нм/темный/30°
Технические параметры
| Brand | Vishay Semiconductors |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 70 V |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 70 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 0.3 V |
| Dark Current | 200 nA |
| Factory Pack Quantity | 5000 |
| Half Intensity Angle Degrees | 30 deg |
| Lens Color/Style | Black |
| Light Current | 3.2 mA |
| Manufacturer | Vishay |
| Maximum On-State Collector Current | 50 mA |
| Maximum Operating Temperature | +100 C |
| Minimum Operating Temperature | -40 C |
| Mounting Style | Through Hole |
| Package / Case | T-1 |
| Packaging | Bulk |
| Pd - Power Dissipation | 100 mW |
| Peak Wavelength | 925 nm |
| Product | Phototransistors |
| Product Category | Phototransistors |
| Product Type | Phototransistors |
| Subcategory | Optical Detectors and Sensors |
| Type | IR Chip |
| Wavelength | 925 nm |
| Wavelength Typ | 925nm; Viewing Angle |
| Вес, г | 0.15 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 105 КБ
Документация
pdf, 103 КБ
