Главная › Электронные компоненты › Микросхемы › Драйверы MOSFET и IGBT › ON Semiconductor

Драйверы MOSFET и IGBT ON Semiconductor

_{245 из более 1000}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

FAN3224TMX, Высокоскоростной MOSFET драйвер, 2-канальный, Low-Side, пиковый выходной ток 4А [SOIC-8-0.154"] Бренд: ON Semiconductor Конфигурация: Low-Side Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 4.5…18 Логическое напряжение (VIL), В: 38 Логическое напряжение (VIH), В: 2 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 5 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 5 Тип входа: неинвертирующий Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 12 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 9 Рабочая температура, °C: -40…+125(TA) Корпус: SOIC-8(0.154 inch)	быстрый просмотр	2 190 ֏ 1 380 ֏ ×	от 5 шт. — 1 360 ֏
MC33152DR2G, Драйвер MOSFET, Low-Side [SOIC-8] Бренд: ON Semiconductor Конфигурация: Low-Side Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 6.1…18 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2.6 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1.5 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 1.5 Тип входа: неинвертирующий Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 36 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 32 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: SOIC-8(0.154 inch)	быстрый просмотр	910 ֏ 467 ֏ ×	от 5 шт. — 423 ֏
ADP3110AKCPZ-RL, Драйвер МОП-транзистора, высокой стороны и низкой стороны, питание 4.6В-13.2В, 1А, 20нс, [DFN-8] Бренд: ON Semiconductor Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: синхронный Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 4.6…13.2 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2 Тип входа: инвертирующий, неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 35 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 20 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 11 Рабочая температура, °C: 0…+150(TJ) Корпус: DFN-8 EP(3x3)	быстрый просмотр	910 ֏ 530 ֏ ×	от 5 шт. — 491 ֏
FAN3100TSX, Драйвер Low-Side Single 2 A High-Speed [SOT-23-5] Бренд: Fairchild Конфигурация: Low-Side Тип канала: Один Кол-во каналов: 1 Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 4.5…18 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 3 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 3 Тип входа: инвертирующий, неинвертирующий Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 13 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 9 Рабочая температура, °C: -55…+150(TJ) Корпус: SOT-23-5	быстрый просмотр	1 820 ֏ 1 110 ֏ ×	от 5 шт. — 1 080 ֏
FAN7380MX, Драйвер MOSFET-IGBT, 2-канала, 600В, 018А [SO-8] Бренд: ON Semiconductor Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2.5 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.09 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.18 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 230 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 90 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: SOIC-8(0.154 inch)	быстрый просмотр	1 280 ֏ 710 ֏ ×	от 5 шт. — 690 ֏
FAN73832MX, Микросхема Half-Bridge Gate-Drive, 15В-20В, 650мА, задержка 180нс [SO-8] Бренд: ON Semiconductor Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: синхронный Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 15…20 Логическое напряжение (VIL), В: 1.2 Логическое напряжение (VIH), В: 2.9 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.35 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.65 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 50 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 30 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: SOIC-8(0.154 inch)	быстрый просмотр	1 940 ֏ 1 140 ֏ ×	от 5 шт. — 1 120 ֏
FAN7383MX, Драйвер MOSFET/IGBT, полумостовой [SOP-14] Бренд: ON Semiconductor Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: синхронный Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 15…20 Логическое напряжение (VIL), В: 1.2 Логическое напряжение (VIH), В: 2.9 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.35 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.65 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 50 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 30 Рабочая температура, °C: -40…+150 (TJ) Корпус: SOP-14 (0.209 inch)	быстрый просмотр	2 430 ֏ 1 500 ֏ ×	от 5 шт. — 1 480 ֏
FAN7842MX, Драйвер для управления затвором верхнего и нижнего уровней, [SO-8] Бренд: ON Semiconductor Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2.9 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.35 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.65 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 200 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 60 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 30 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: SOIC-8(0.154 inch)	быстрый просмотр	1 160 ֏ 820 ֏ ×	от 5 шт. — 810 ֏
MC33151DG, Высокоскоростной двухканальный драйвер MOSFET, [SOIC-8] Бренд: ON Semiconductor Конфигурация: Low-Side Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 6.5…18 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2.6 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1.5 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 1.5 Тип входа: инвертирующий Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 31 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 32 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: SOIC-8(0.154 inch)	быстрый просмотр	1 940 ֏ 1 300 ֏ ×	от 5 шт. — 1 270 ֏
MC33151PG, Драйвер MOSFET, Low-Side [DIP-8] Бренд: ON Semiconductor Конфигурация: Low-Side Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 6.5…18 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2.6 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1.5 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 1.5 Тип входа: инвертирующий Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 31 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 32 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: DIP-8(0.300 inch)	быстрый просмотр	1 400 ֏ 950 ֏ ×	от 5 шт. — 890 ֏
MC33153DR2G, Драйвер IGBT/MOSFET, Low-Side [SOIC-8] Бренд: ON Semiconductor Конфигурация: Low-Side Тип канала: Один Кол-во каналов: 1 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 11…20 Логическое напряжение (VIL), В: 1.2 Логическое напряжение (VIH), В: 3.2 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 2 Тип входа: инвертирующий Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 17 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 17 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: SOIC-8(0.154 inch)	быстрый просмотр	2 190 ֏ 1 260 ֏ ×	от 5 шт. — 1 210 ֏
MC33153PG, Одноканальный драйвер для управления затвором IGBT, [DIP-8] Бренд: ON Semiconductor Конфигурация: Low-Side Тип канала: Один Кол-во каналов: 1 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 11…20 Логическое напряжение (VIL), В: 1.2 Логическое напряжение (VIH), В: 3.2 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 2 Тип входа: инвертирующий Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 17 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 17 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: DIP-8(0.300 inch)	быстрый просмотр	1 400 ֏ 850 ֏ ×	от 5 шт. — 800 ֏
MC34151DR2G, Высокоскоростной двухканальный драйвер MOSFET, [SOIC-8] Бренд: ON Semiconductor Конфигурация: Low-Side Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 6.5…18 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2.6 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1.5 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 1.5 Тип входа: инвертирующий Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 31 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 32 Рабочая температура, °C: 0…+150(TJ) Корпус: SOIC-8(0.154 inch)	быстрый просмотр	1 040 ֏ 750 ֏ ×	от 5 шт. — 720 ֏
MC34151PG, Высокоскоростной двухканальный драйвер MOSFET, [DIP-8] Бренд: ON Semiconductor Конфигурация: Low-Side Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 6.5…18 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2.6 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1.5 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 1.5 Тип входа: инвертирующий Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 31 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 32 Рабочая температура, °C: 0…+150(TJ) Корпус: DIP-8(0.300 inch)	быстрый просмотр	1 100 ֏ 840 ֏ ×	от 5 шт. — 830 ֏
MC34152DG, Драйвер MOSFET х 2, 18В, 1.5A, [SO-8] Бренд: ON Semiconductor Конфигурация: Low-Side Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 6.1…18 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2.6 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1.5 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 1.5 Тип входа: неинвертирующий Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 36 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 32 Рабочая температура, °C: 0…+150(TJ) Корпус: SOIC-8(0.154 inch)	быстрый просмотр	910 ֏ 570 ֏ ×	от 10 шт. — 550 ֏
MC34152PG, Высокоскоростной двухканальный драйвер MOSFET, [PDIP-8] Бренд: ON Semiconductor Конфигурация: Low-Side Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 6.1…18 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2.6 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1.5 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 1.5 Тип входа: неинвертирующий Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 36 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 32 Рабочая температура, °C: 0…+150(TJ) Корпус: DIP-8(0.300 inch)	быстрый просмотр	840 ֏ ×	от 5 шт. — 820 ֏
FAN7382M, Драйвер полумостовой, SO8 Бренд: Fairchild	быстрый просмотр	890 ֏ ×
FAN7382M1X, Микросхема Бренд: ON Semiconductor	быстрый просмотр	640 ֏ ×
FAN73832M, Микросхема Half-Bridge Gate-Drive, 15В-20В, 650мА, задержка 180нс [SO-8] Бренд: ON Semiconductor	быстрый просмотр	1 810 ֏ ×	от 5 шт. — 1 710 ֏
MC33152DG, Драйвер MOSFET, Low-Side [SOIC-8] Бренд: ON Semiconductor Конфигурация: Low-Side Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 6.1…18 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2.6 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1.5 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 1.5 Тип входа: неинвертирующий Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 36 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 32 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: SOIC-8(0.154 inch)	быстрый просмотр	3 100 ֏ 1 940 ֏ ×	от 5 шт. — 1 860 ֏

Драйверы MOSFET и IGBT ON Semiconductor

ООО «ЧИП и ДИП»