Сортировка:
РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество
|
12 дней, 211 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: npn darlington с 2 резисторами и диодом
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 80
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 80
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 4
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 750
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 40
Корпус: to-126
|
 быстрый просмотр |
12 дней, 211 шт. |
243 ֏
×
164 ֏ |
от 15 шт. — 158 ֏
|
|
12 дней, 621 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: npn darlington с 2 резисторами и диодом
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 100
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 100
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 4
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 750
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 40
Корпус: to-126
|
 быстрый просмотр |
12 дней, 621 шт. |
291 ֏
×
185 ֏ |
от 15 шт. — 160 ֏
|
|
12 дней, 367 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: pnp darlington с 2 резисторами и диодом
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 100
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 100
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 4
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 750
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 40
Корпус: to-126
|
быстрый просмотр |
12 дней, 367 шт. |
364 ֏
×
241 ֏ |
от 15 шт. — 213 ֏
|
|
12 дней, 1553 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 100
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 100
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 15
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 5
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 3
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 90
Корпус: to-220
|
 быстрый просмотр |
12 дней, 1553 шт. |
550 ֏ × |
от 15 шт. — 510 ֏
|
|
12 дней, 295 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 100
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 100
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 15
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 5
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 3
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 90
Корпус: to-220
|
 быстрый просмотр |
12 дней, 295 шт. |
790 ֏ × |
от 15 шт. — 750 ֏
|
|
12 дней, 513 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: pnp darlington с 2 резисторами и диодом
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 100
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 100
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 12
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 750…20000
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 80
Корпус: to-220
|
 быстрый просмотр |
12 дней, 513 шт. |
590 ֏
×
500 ֏ |
от 103 шт. — 476 ֏
|
|
12 дней, 396 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: npn darlington с 2 резисторами и диодом
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 100
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 100
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 10
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 750
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 70
Корпус: to-220
|
 быстрый просмотр |
12 дней, 396 шт. |
364 ֏
×
272 ֏ |
от 15 шт. — 266 ֏
|
|
12 дней, 433 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: pnp darlington с 2 резисторами и диодом
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 100
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 100
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 10
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 750
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 70
Корпус: to-220
|
 быстрый просмотр |
12 дней, 433 шт. |
297 ֏ × |
от 15 шт. — 284 ֏
|
|
12 дней, 309 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 80
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 80
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 8
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 750
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 60
Корпус: to-220
|
 быстрый просмотр |
12 дней, 309 шт. |
376 ֏
×
345 ֏ |
от 15 шт. — 326 ֏
|
|
12 дней, 94 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: npn darlington с 2 резисторами и диодом
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 100
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 100
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 8
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 750
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 60
Корпус: to-220
|
 быстрый просмотр |
12 дней, 94 шт. |
455 ֏
×
328 ֏ |
от 15 шт. — 306 ֏
|
|
12 дней, 195 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: pnp darlington с 2 резисторами и диодом
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 100
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 100
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 8
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 750
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 65
Корпус: to-220
|
 быстрый просмотр |
12 дней, 195 шт. |
467 ֏
×
300 ֏ |
от 15 шт. — 277 ֏
|
|
12 дней, 217 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: npn darlington с 2 резисторами, диодом и стабил.
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 350
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 350
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 15
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 300
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 65
Корпус: to-3pf
|
 быстрый просмотр |
12 дней, 217 шт. |
2 670 ֏
×
2 320 ֏ |
от 15 шт. — 2 260 ֏
|
|
12 дней, 304 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 1000
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 450
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 30
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 200
Корпус: TO-247
|
 быстрый просмотр |
12 дней, 304 шт. |
9 900 ֏
×
7 000 ֏ |
от 15 шт. — 6 900 ֏
|
|
12 дней, 146 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: npn с диодом
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 800
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 450
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 13
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 80
Корпус: to-220
|
 быстрый просмотр |
12 дней, 146 шт. |
730 ֏
×
489 ֏ |
от 15 шт. — 447 ֏
|
|
12 дней, 386 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 1000
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 450
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 15
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 8
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 150
Корпус: TO-247
|
быстрый просмотр |
12 дней, 386 шт. |
3 160 ֏
×
1 990 ֏ |
от 15 шт. — 1 960 ֏
|
|
12 дней, 1174 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 80
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 80
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 10
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 40
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 50
Корпус: to-220
|
 быстрый просмотр |
12 дней, 1174 шт. |
590 ֏
×
410 ֏ |
от 15 шт. — 404 ֏
|
|
12 дней, 263 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 80
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 80
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 10
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 40
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 50
Корпус: to-220
|
быстрый просмотр |
12 дней, 263 шт. |
790 ֏
×
407 ֏ |
от 15 шт. — 387 ֏
|
|
12 дней, 54 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 1700
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 800
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 24
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 6.5
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 75
Корпус: ISOWATT-218FX
|
 быстрый просмотр |
12 дней, 54 шт. |
3 520 ֏
×
2 300 ֏ |
от 15 шт. — 2 270 ֏
|
|
12 дней, 184 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: npn darlington c 2 резисторами и диодом
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 100
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 100
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 8
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 1000…12000
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 4
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 1.75
Корпус: dpak(to-252)
|
 быстрый просмотр |
12 дней, 184 шт. |
352 ֏
×
264 ֏ |
|
|
12 дней, 102 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: pnp
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 100
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 4
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 10
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 15
Корпус: dpak(to-252)
|
быстрый просмотр |
12 дней, 102 шт. |
144 ֏ × |
от 15 шт. — 125 ֏
|