Драйверы MOSFET и IGBT

Конфигурация: Low-Side

Тип канала: Один

Кол-во каналов: 1

Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET

Напряжение питания, В: 11…20

Логическое напряжение (VIL), В: 1.2

Логическое напряжение (VIH), В: 3.2

Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1

Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 2

Тип входа: инвертирующий

Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 17

Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 17

Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)

Корпус: SOIC-8(0.154 inch)