2SK208-R(TE85L,F), Транзистор JFET N-канал 50В 2-3F1B/SC-59/TO-236MOD
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
322 шт. с центрального склада, срок 3 недели
730 ֏
412 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 412 ֏
Описание
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Технические параметры
| Brand | Toshiba |
| Configuration | Single |
| Drain-Source Current at Vgs=0 | 0.3 mA |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Gate-Source Cutoff Voltage | -5 V |
| Id - Continuous Drain Current | 6.5 mA |
| Manufacturer | Toshiba |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SC-59-3 |
| Packaging | Reel |
| Pd - Power Dissipation | 100 mW |
| Product Category | JFET |
| RoHS | Details |
| Series | 2SK208 |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Unit Weight | 0.000282 oz |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 10 V |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage | -30 V |
| Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
2SK208
pdf, 290 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet 2SK208-Y(TE85L,F)
pdf, 293 КБ
Документация
pdf, 292 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 11 мая1 | бесплатно |
| HayPost | 15 мая1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
