4N25

Фото 1/6 4N25
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
600 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт.319 ֏
от 10 шт.234 ֏
от 30 шт.175 ֏
Добавить в корзину 2 шт. на сумму 1 200 ֏
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8002022985

Описание

Электроэлемент
Описание Оптопара транзисторная 4N25 от производителя VISHAY обладает выходным напряжением максимум 70В и временем включения/выключения всего 2 мкс, что делает её идеальным выбором для быстродействующих систем. С коэффициентом передачи тока (CTR) в диапазоне 50-300% при токе 10мА, этот одноканальный компонент обеспечивает надёжную изоляцию сигнала с напряжением изоляции 5.3 кВ. Корпус DIP6 подходит для монтажа THT, что упрощает интеграцию в различные схемы. Продукт 4N25 идеален для области применения, требующей высокого уровня изоляции и быстрого отклика. Характеристики
Категория Оптопара
Тип транзисторная
CTR@If 50-300%@10mA
Вид выхода транзистор
Кол-во каналов 1
Выходное напряжение макс., В 70
Время включения, мкс 2
Время выключения, мкс 2
Напряжение изоляции, кВ 5.3
Монтаж THT
Корпус DIP6

Технические параметры

Brand Vishay Semiconductors
Configuration 1 Channel
Current Transfer Ratio 50%
Factory Pack Quantity 50
Height 3.81 mm
If - Forward Current 60 mA
Isolation Voltage 5000 Vrms
Length 8.7 mm
Manufacturer Vishay
Maximum Collector Current 100 mA
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage 0.5 V
Maximum Collector Emitter Voltage 70 V
Maximum Operating Temperature +100 C
Minimum Operating Temperature -55 C
Mounting Style Through Hole
Number of Channels 1 Channel
Output Type NPN Phototransistor
Package / Case DIP-6
Packaging Tube
Pd - Power Dissipation 150 mW
Product Category Transistor Output Optocouplers
RoHS Details
Vf - Forward Voltage 1.5 V
Vr - Reverse Voltage 5 V
Width 6.5 mm
Automotive No
Current Transfer Ratio Test Current (mA) 10
ECCN (US) EAR99
EU RoHS Compliant
Input Type DC
Lead Shape Through Hole
Maximum Collector Current (mA) 100
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (mV) 500
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) 30
Maximum Current Transfer Ratio (%) 50(Typ)
Maximum Forward Current (mA) 60
Maximum Forward Voltage (V) 1.5
Maximum Operating Temperature (°C) 100
Maximum Power Dissipation (mW) 150
Maximum Reverse Voltage (V) 5
Minimum Current Transfer Ratio (%) 20
Minimum Isolation Voltage (Vrms) 5300
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Mounting Through Hole
Number of Channels per Chip 1
Output Device Transistor With Base
Part Status Active
PCB changed 6
Pin Count 6
PPAP No
Standard UL
Standard Package Name DIP
Supplier Package PDIP
Typical Fall Time (us) 2
Typical Forward Voltage (V) 1.3
Typical Rise Time (us) 2
Brand: Vishay Semiconductors
Configuration: 1 Channel
Current Transfer Ratio: 20%
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 2000
Fall Time: 2 us
If - Forward Current: 60 mA
Isolation Voltage: 5000 Vrms
Manufacturer: Vishay
Maximum Collector Current: 100 mA
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage: 500 mV
Maximum Collector Emitter Voltage: 70 V
Maximum Operating Temperature: +100 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: Through Hole
Number of Channels: 1 Channel
Output Type: NPN Phototransistor
Package / Case: DIP-6
Packaging: Tube
Pd - Power Dissipation: 150 mW
Product Category: Transistor Output Optocouplers
Product Type: Transistor Output Optocouplers
Rise Time: 2 us
Series: 4N2x
Subcategory: Optocouplers
Vf - Forward Voltage: 1.5 V
Vr - Reverse Voltage: 5 V
Вес, г 0.8457

Техническая документация