BCW66KHE6327, Транзистор: NPN, биполярный, 45В, 0,8А, 0,5Вт, SOT23
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
81 ֏
Мин. кол-во для заказа 25 шт.
от 100 шт. —
64 ֏
от 500 шт. —
51 ֏
Добавить в корзину 25 шт.
на сумму 2 025 ֏
Описание
Semiconductors\Transistors\Bipolar transistors\Single bipolar transistors
Описание Транзистор биполярный NPN BCW66KHE6327 от INFINEON, предназначен для монтажа в SMD-выполнении, обеспечивает ток коллектора до 0,8 А и напряжение коллектор-эмиттер до 45 В. При мощности 0,5 Вт и компактном корпусе SOT23, этот транзистор является идеальным выбором для широкого спектра областей применения, где требуется надежный контроль тока. Модель BCW66KHE6327 характеризуется высокой эффективностью и стабильностью работы, что делает его незаменимым компонентом в разработке современной электроники. Продукт BCW66KHE6327 отличается высокой надежностью, что подтверждается качеством производителя INFINEON. Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | биполярный |
Вид | NPN |
Монтаж | SMD |
Ток коллектора, А | 0.8 |
Напряжение коллектор-эмиттер, В | 45 |
Мощность, Вт | 0.5 |
Корпус | SOT23 |
Технические параметры
Case | SOT23 |
Collector current | 0.8A |
Collector-emitter voltage | 45V |
Frequency | 170MHz |
Manufacturer | INFINEON TECHNOLOGIES |
Mounting | SMD |
Polarisation | bipolar |
Power dissipation | 0.5W |
Type of transistor | NPN |
Base Part Number | BCW66 |
Current - Collector (Ic) (Max) | 800mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 20nA(ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 250 @ 100mA, 1V |
Frequency - Transition | 170MHz |
Mounting Type | Surface Mount |
Operating Temperature | 150В°C(TJ) |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Packaging | Tape & Reel(TR) |
Part Status | Last Time Buy |
Power - Max | 500mW |
Series | - |
Supplier Device Package | SOT-23-3 |
Transistor Type | NPN |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 450mV @ 50mA, 500mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45V |
Brand: | Infineon Technologies |
Collector- Base Voltage VCBO: | 75 V |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 45 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 450 mV |
Configuration: | Single |
Continuous Collector Current: | 800 mA |
DC Collector/Base Gain hFE Min: | 250 |
DC Current Gain hFE Max: | 630 |
Emitter- Base Voltage VEBO: | 5 V |
Factory Pack Quantity: | 3000 |
Gain Bandwidth Product fT: | 170 MHz |
Manufacturer: | Infineon |
Maximum DC Collector Current: | 800 mA |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -65 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Package/Case: | SOT-23-3 |
Part # Aliases: | BCW 66KH E6327 SP000271906 |
Pd - Power Dissipation: | 500 mW |
Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
Qualification: | AEC-Q101 |
Subcategory: | Transistors |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | NPN |
Вес, г | 0.02 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 525 КБ
Datasheet
pdf, 522 КБ
Документация
pdf, 74 КБ
Трёхмерное изображение изделия
zip, 526 КБ
Трёхмерное изображение изделия
zip, 10 КБ