Главная › Электронные компоненты › Тиристоры и Триаки › Симисторы › WeEn › BT136S-800E,118, Симистор, 800В, 4А, 10мА ...

BT136S-800E,118, Симистор, 800В, 4А, 10мА, DPAK, Упаковка бобина,лента

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

2470 шт., срок 8 недель

1 190 ֏

от 5 шт. — 530 ֏

от 25 шт. — 412 ֏

от 100 шт. — 316 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 190 ֏

Альтернативные предложения3

Номенклатурный номер: 8002594304

Бренд: WeEn Semiconductors

Описание

Полупроводники\Симисторы

Описание Тринистор BT136S-800E,118 от WeEn Semiconductors – высококачественный симистор, предназначенный для использования в современных электронных устройствах. Данный компонент обладает SMD-монтажом, что обеспечивает удобство в интеграции на печатные платы и идеально подходит для компактных конструкций. Корпус DPAK гарантирует надежную работу и долговечность диода. Продукт BT136S-800E,118 отличается высоким качеством исполнения и стабильностью параметров, что делает его незаменимым элементом в различных электронных цепях. Симистор BT136S800E118 идеально подойдет для проектов, требующих компонентов с высокой надежностью и длительным сроком службы. Характеристики

Категория	Диод
Тип	тринисторы
Вид	симистор
Монтаж	SMD
Корпус	DPAK

Технические параметры

Brand:	WeEn Semiconductors
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	2500
Gate Trigger Current - Igt:	11 mA
Gate Trigger Voltage - Vgt:	700 mV
Holding Current Ih Max:	15 mA
Manufacturer:	WeEn Semiconductors
Maximum Operating Temperature:	+125 C
Minimum Operating Temperature:	-40 C
Mounting Style:	SMD/SMT
Non Repetitive On-State Current:	27 A
Off-State Leakage Current @ VDRM IDRM:	100 uA
On-State RMS Current - It RMS:	4 A
On-State Voltage:	1.4 V
Package / Case:	DPAK-3
Part # Aliases:	934049340118
Product Category:	Triacs
Product Type:	Triacs
Rated Repetitive Off-State Voltage VDRM:	800 V
Subcategory:	Thyristors
Peak On State Voltage	1.7В
Thyristor Mounting	Surface Mount
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура	125°C
Максимальное Отпирающее Напряжение Затвора Vgt	1В
Максимальный Отпирающий Ток Затвора (QI), Igt	10мА
Максимальный Ток Удержания Ih	15мА
Пиковая Мощность Затвора	5Вт
Пиковое Напряжение Состояния Выкл. Vdrm	800В
Пиковый Импульсный Ток Itsm 50Гц	25А
Стиль Корпуса Симистора	TO-252
Ток в Открытом Состоянии СКЗ IT(rms)	4А
Вес, г	1