MMBF4416A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
640 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
404 ֏
от 10 шт. —
328 ֏
от 34 шт. —
266 ֏
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 1 280 ֏
Описание
Электроэлемент
35V 225mW 0.8pF@15V N Channel 4pF@15V -55?I~+150?I@(Tj) SOT-23-3L MOSFETs ROHS
Технические параметры
Brand | ON Semiconductor/Fairchild |
Configuration | Single |
Drain-Source Current at Vgs=0 | 2 mA |
Factory Pack Quantity | 3000 |
Forward Transconductance - Min | 0.0045 S to 0.0075 S |
Gate-Source Cutoff Voltage | -6 V |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Mounting Style | SMD/SMT |
Operating Temperature Range | -55 C to+150 C |
Package / Case | SOT-23-3 |
Packaging | Reel |
Pd - Power Dissipation | 225 mW |
Product Category | JFET |
RoHS | Details |
Series | MMBF4416A |
Transistor Polarity | N-Channel |
Unit Weight | 0.001058 oz |
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage | -30 V |
Brand: | onsemi/Fairchild |
Configuration: | Single |
Drain-Source Current at Vgs=0: | 2 mA |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
Forward Transconductance - Min: | 0.0045 S to 0.0075 S |
Gate-Source Cutoff Voltage: | -6 V |
Manufacturer: | onsemi |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Operating Temperature Range: | -55 C to+150 C |
Package / Case: | SOT-23-3 |
Pd - Power Dissipation: | 225 mW |
Product Category: | JFET |
Product Type: | JFETs |
Series: | MMBF4416A |
Subcategory: | Transistors |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Type: | JFET |
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage: | -30 V |
Вес, г | 0.008 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 318 КБ
Документация
pdf, 320 КБ