IXFH12N90P, MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

8 300 ֏

от 30 шт. — 6 300 ֏

от 120 шт. — 5 100 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 8 300 ֏

Номенклатурный номер: 8004636802

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор

Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 900В, 12А, 380Вт, TO247-3 Характеристики

Id - непрерывный ток утечки	12 A
Pd - рассеивание мощности	380 W
Qg - заряд затвора	56 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	900 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	900 V
Vgs - напряжение затвор-исток	30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	6.5 V
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	34 ns
Время спада	68 ns
Высота	21.46 mm
Длина	16.26 mm
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	HyperFET
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	8.2 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	30
Серия	IXFH12N90
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	50 ns
Типичное время задержки при включении	32 ns
Торговая марка	IXYS
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-247-3
Ширина	5.3 mm
Вес, г	6.5