2N4416A TIN/LEAD, JFET N-Ch 35Vgd 35Vgs 35Vds 10mA 300mW

2N4416A TIN/LEAD, JFET N-Ch 35Vgd 35Vgs 35Vds 10mA 300mW
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
444 шт., срок 8-10 недель
7 800 ֏
от 10 шт.6 600 ֏
от 25 шт.5 800 ֏
от 100 шт.4 910 ֏
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 7 800 ֏
Номенклатурный номер: 8005049570

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\JFET

Технические параметры

Brand: Central Semiconductor
Configuration: Single
Drain-Source Current at Vgs=0: 15 mA
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 2000
Gate-Source Cutoff Voltage: 6 V
Manufacturer: Central Semiconductor
Maximum Operating Temperature: +200 C
Minimum Operating Temperature: -65 C
Mounting Style: Through Hole
Package / Case: TO-72-4
Packaging: Reel, Cut Tape
Pd - Power Dissipation: 300 mW
Product Category: JFET
Product Type: JFETs
Series: 2N4416A
Subcategory: Transistors
Technology: Si
Transistor Polarity: N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 35 V
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage: 35 V
Вес, г 0.43

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1122 КБ

Сроки доставки

Доставка в регион Ереван

Офис «ЧИП и ДИП» 5 июля1 бесплатно
HayPost 9 июля1 1 650 ֏2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг