2N4416A TIN/LEAD, JFET N-Ch 35Vgd 35Vgs 35Vds 10mA 300mW
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
444 шт., срок 8-10 недель
7 800 ֏
от 10 шт. —
6 600 ֏
от 25 шт. —
5 800 ֏
от 100 шт. —
4 910 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 7 800 ֏
Номенклатурный номер: 8005049570
Бренд: Central Semiconductor Corp
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\JFET
Технические параметры
Brand: | Central Semiconductor |
Configuration: | Single |
Drain-Source Current at Vgs=0: | 15 mA |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2000 |
Gate-Source Cutoff Voltage: | 6 V |
Manufacturer: | Central Semiconductor |
Maximum Operating Temperature: | +200 C |
Minimum Operating Temperature: | -65 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Package / Case: | TO-72-4 |
Packaging: | Reel, Cut Tape |
Pd - Power Dissipation: | 300 mW |
Product Category: | JFET |
Product Type: | JFETs |
Series: | 2N4416A |
Subcategory: | Transistors |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 35 V |
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage: | 35 V |
Вес, г | 0.43 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1122 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 5 июля1 | бесплатно |
HayPost | 9 июля1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг