IXGH32N170, IGBT Transistors 72 Amps 1700 V 3.3 V Rds

Фото 1/4 IXGH32N170, IGBT Transistors 72 Amps 1700 V 3.3 V Rds
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
24 800 ֏
от 10 шт.21 700 ֏
от 30 шт.19 600 ֏
от 60 шт.17 500 ֏
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 24 800 ֏
Номенклатурный номер: 8005250037
Бренд: Ixys Corporation

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Transistors
Решения для медицинского оборудования

Решения для медицинского оборудования Littelfuse включают надежные и качественные компоненты, необходимые для обеспечения надежной работы и бесперебойной работы оборудования. Эти решения включают аппараты ИВЛ, дефибриллятор и ультразвук. Решения Littelfuse для медицинского оборудования идеально подходят для систем жизнеобеспечения, оборудования для ухода за пациентами и систем мониторинга пациентов.

Технические параметры

Brand: IXYS
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 1.7 kV
Collector-Emitter Saturation Voltage: 3.3 V
Configuration: Single
Continuous Collector Current at 25 C: 75 A
Continuous Collector Current Ic Max: 75 A
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 30
Manufacturer: IXYS
Maximum Gate Emitter Voltage: -20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: Through Hole
Package / Case: TO-247AD-3
Packaging: Tube
Pd - Power Dissipation: 350 W
Product Category: IGBT Transistors
Product Type: IGBT Transistors
Series: IXGH32N170
Subcategory: IGBTs
Technology: Si
Channel Type N
Maximum Collector Emitter Voltage 1700 V
Maximum Continuous Collector Current 75 A
Maximum Gate Emitter Voltage ±20V
Maximum Operating Temperature +150 °C
Minimum Operating Temperature -55 °C
Mounting Type Through Hole
Package Type TO-247AD
Pin Count 3
Transistor Configuration Single
Вес, г 6.5

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 620 КБ
Datasheet IXGH32N170
pdf, 577 КБ
IXGH32N170 - IXGT32N170
pdf, 571 КБ