IRFPC50APBF, MOSFET 600V N-CH HEXFET

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

3 620 ֏

от 25 шт. — 3 160 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 3 620 ֏

Номенклатурный номер: 8005359693

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор

Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 11А, Idm: 44А, 180Вт, TO247AC Характеристики

Категория продукта	МОП-транзистор
Подкатегория	MOSFETs
Размер фабричной упаковки	500
Серия	IRFPC
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Торговая марка	Vishay / Siliconix
Упаковка	Tube
Brand	Vishay Semiconductors
Channel Mode	Enhancement
Configuration	Single
Factory Pack Quantity	500
Fall Time	29 ns
Forward Transconductance - Min	7.7 S
Id - Continuous Drain Current	11 A
Manufacturer	Vishay
Maximum Operating Temperature	+150 C
Minimum Operating Temperature	-55 C
Mounting Style	Through Hole
Package / Case	TO-247-3
Packaging	Tube
Pd - Power Dissipation	180 W
Product Category	MOSFET
Rds On - Drain-Source Resistance	580 mOhms
Rise Time	40 ns
RoHS	Details
Transistor Polarity	N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	33 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	600 V
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage	30 V
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	11 A
Maximum Drain Source Resistance	580 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	600 V
Maximum Gate Source Voltage	-30 V, +30 V
Maximum Power Dissipation	180 W
Minimum Gate Threshold Voltage	2V
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Package Type	TO-247AC
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	70 nC @ 10 V
Width	5.31mm
Вес, г	38