IXTP200N055T2, MOSFET 200 Amps 55V 0.0042 Rds
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4 980 ֏
от 10 шт. —
3 870 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 4 980 ֏
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 55В, 200А, 360Вт, TO220-3, 49нс Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Case | TO220AB |
| Drain current | 200A |
| Drain-source voltage | 55V |
| Features of semiconductor devices | thrench gate power mosfet |
| Gate charge | 109nC |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | IXYS |
| Mounting | THT |
| On-state resistance | 4.2mΩ |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 360W |
| Reverse recovery time | 49ns |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 169 КБ
