STT2200N18P55XPSA1, SCR Modules THYR / DIODE MODULE DK

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

604 000 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 604 000 ֏

Номенклатурный номер: 8006215630

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые модули

Дискретные полупроводниковые модули

Другие названия товара №	IPT60R125CFD7 SP005346348
Категория продукта	Дискретные полупроводниковые модули
Подкатегория	Discrete Semiconductor Modules
Размер фабричной упаковки	1
Тип продукта	Discrete Semiconductor Modules
Торговая марка	Infineon Technologies
Упаковка	Tray
Repetitive Peak Reverse Voltage	1.8кВ
Thyristor Mounting	Panel
Количество Выводов	8вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура	125°C
Максимальное Значение Напряжения Vrrm	1.8кВ
Максимальное Отпирающее Напряжение Затвора Vgt	2В
Максимальный Отпирающий Ток Затвора, Igt	200мА
Максимальный Ток Удержания Ih	300мА
Пиковое Напряжение Состояния Выкл. Vdrm	1.8кВ
Пиковый Импульсный Ток Itsm 50Гц	21А
Стиль Корпуса Тиристора	Модуль