SI2377EDS-T1-GE3, MOSFET -20V Vds 8V Vgs SOT-23
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
550 ֏
от 10 шт. —
463 ֏
от 100 шт. —
299 ֏
от 500 шт. —
222 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 550 ֏
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Maximum Continuous Drain Current | 3.5 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 165 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -8 V, +8 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 1.8 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.4V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-23 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 14 nC @ 8 V |
| Width | 1.4mm |
| Вес, г | 0.008 |
