CSD18536KCS, MOSFET 60-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single TO-220, 1.6 mOhm 3-TO-220 -55 to 175
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
5 300 ֏
от 10 шт. —
4 750 ֏
от 50 шт. —
3 680 ֏
от 100 шт. —
3 200 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 5 300 ֏
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 200А, 375Вт, TO220-3 Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Base Product Number | CSD18536 -> |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 200A (Ta) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
ECCN | EAR99 |
FET Type | N-Channel |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 108nC @ 10V |
HTSUS | 8541.29.0095 |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 11430pF @ 30V |
Manufacturer Product Page | http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Through Hole |
Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C (TJ) |
Package | Tube |
Package / Case | TO-220-3 |
Power Dissipation (Max) | 375W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.6mOhm @ 100A, 10V |
REACH Status | REACH Affected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Series | NexFETв„ў -> |
Supplier Device Package | TO-220-3 |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Vgs (Max) | В±20V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250ВµA |
Вес, г | 1.8 |