2SK3475(TE12L.F)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
5 шт. с центрального склада, срок 3 недели
3 330 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 330 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Электроэлемент
Транзистор: N-MOSFET, полевой, RF, 20В, 1А, 3Вт, SOT89, Pвых: 630мВт
Технические параметры
| Brand | Toshiba |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 1000 |
| Gain | 14.9 dB |
| Id - Continuous Drain Current | 1 A |
| Manufacturer | Toshiba |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Operating Frequency | 520 MHz |
| Output Power | 630 mW |
| Package / Case | PW-Mini-3 |
| Packaging | Reel |
| Pd - Power Dissipation | 3 W |
| Product Category | RF MOSFET Transistors |
| RoHS | Details |
| Series | 2SK3475 |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Type | RF Power MOSFET |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 10 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2.4 V |
| Вес, г | 0.09 |
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 23 мая1 | бесплатно |
| HayPost | 27 мая1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
